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所制备的Br、气化I有序CsPbBr2I钙钛矿单晶在优势方向上的载流子迁移率高达2574cm2·V-1·s-1，这是已经报道的全无机CsPbX3钙钛矿材料的最高载流子迁移率。高质准对该问题的常见策略是使用有机配体保护的纳米晶（NC）或量子点（QDs）。

核心创新点首次通过溶剂热方法生长出毫米级别的Br、再电助力展I混合卤素全无机CsPbBr2I钙钛矿单晶。在传统的氧基钙钛矿中，气化阴离子有序性在钙钛矿材料特性如电荷输运、维度调控、结构稳定性中发挥着重要作用。然而，高质与NC或多晶薄膜相比，高质无晶界的CsPbX3钙钛矿单晶表现出更好的性能：更低的陷阱态密度、更高的载流子迁移率和更长的载流子扩散长度，具有更广阔的应用前景。

（C）生长的Br、再电助力展I有序CsPbBr2I钙钛矿单晶及其晶体结构。气化（F和G）有序-CsPbBr2I钙钛矿分别在[001]和[010]方向上电荷输运的能级示意图。

然而迄今为止，高质很少有研究实现金属卤化物钙钛矿材料中Br、I的有序性调控。

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